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保利协鑫用铸锭技术生产单晶硅片
发布时间:2017.09.10 新闻来源:光伏国际 浏览次数:
 

保利协鑫4月19日发布了其G3新型单晶硅片产品。据介绍,该产品使用铸锭技术生产单晶,在效率、品质、成本、产量上综合了单晶和多晶各自的优势。来自多家电池组件企业的数据显示,新型单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点。

保利协鑫4月19日发布了其G3新型单晶硅片产品。据介绍,该产品使用铸锭技术生产单晶,在效率、品质、成本、产量上综合了单晶和多晶各自的优势。来自多家电池组件企业的数据显示,新型单晶硅片G3在常规电池工艺、PERC高效电池工艺下与直拉单晶的效率差均小于0.5个百分点。

G3新品创造性地使用铸锭技术生产单晶,将铸锭技术和单晶结合。据保利协鑫首席技术官万跃鹏介绍,一直以来,光伏企业都采用铸锭技术生产多晶、用直拉法生产单晶。但无论铸锭技术还是直拉技术,都可以生产单晶或者多晶。保利协鑫采用新一代铸锭技术路线生产单晶,融合了单晶晶体结构和表面特性、多晶的低成本等优势,G3新产品无论是外观还是位错密度都可媲美直拉单晶。而且,铸锭“鑫单晶”硅片光衰更低、组件封装损失小且更容易扩大尺寸,全寿命周期的实际输出功率更高。

万跃鹏用“高产能、高效率、低成本、低光衰”概括新产品的多重优点。由于铸锭单晶技术产出的同样是晶向一致、位错密度低的单晶,可与传统直拉单晶一样使用碱制绒工艺,因此转换效率非常接近直拉单晶产品,并完全适用于PERC等高效电池技术,带来更高的产品效率。同时,G3硅片还继承了铸锭技术产品“光衰”较低的优点,氧含量仅为直拉单晶的一半,甚至优于常规多晶硅片,因而由此带来的组件光衰显著优于传统直拉单晶。不仅如此,新型G3硅片比同样边长为156.75mm的直拉单晶硅片面积多出136mm²,这意味着封装成组件时的损失更小。

不同于采用直拉法制备的传统单晶,新产品采用铸锭技术,单次投料量大,生产成本明显优于采用“一炉三根”、“一炉四根”的直拉法单晶。铸锭单晶的晶体结构意味着其可以完美匹配金刚线切割技术,切割过程的硅料损失更小并可以生产更薄的硅片,这都是铸锭单晶成本更低的原因所在。